Модуль DDR3 4GB 1600 MHz MICRON (CT51264BD160B)

Description Модуль DDR3 4GB 1600 MHz MICRON (CT51264BD160B)

Память DDR3 4GB 1600 MHz MICRON (CT51264BD160B) поможет ускорить обмен данными на компьютере. Оперативная память незаменима для выполнения различных задач, таких как: работа с объемными текстами, таблицами, графиками; архивирование, шифрование, работа с базами данных; компьютерные игры, а также многие другие задачи. DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.
Данные модули памяти DDR3 созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти компании, модули памяти DDR3 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2.